Магистрантка Института ПМТ провела серию научно-исследовательских экспериментов с венгерскими коллегами из Института ATOMKI

Магистрантка Института перспективных материалов и технологий (ПМТ) Виктория Глухенькая провела в Институте Ядерных исследований Венгерской Академии Наук «ATOMKI» серию научно-исследовательских экспериментов с целью выявления химических и структурных изменений, происходящих в тонких пленках Ge2Sb2Te5 после воздействия лазерным излучением и имплантации ионов Sn. Исследования проводились методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) совместно с сотрудниками института «ATOMKI» в рамках выполнения проекта «Фазовые превращения в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge-Sb-Te при воздействии импульсным лазерным излучением нано- и фемтосекундной длительности», поддержанного Российским научным фондом (руководитель проекта — Петр Иванович Лазаренко, научная группа профессора Алексея Анатольевича Шерченкова).

Полученные в ходе проведения экспериментов результаты обладают существенной фундаментальной значимостью и позволяют продвинуться в решении основной задачи научно-технического проекта, а именно в определении механизмов фазовых превращений в аморфных тонких пленках халькогенидных полупроводников оптической фазовой памяти при внешних воздействиях. Успешное выполнение проекта сформирует основу для дальнейшего создания и оптимизации интегральных устройств нанофотоники с возможностью изменения параметров оптического сигнала.

Результаты совместных экспериментов сотрудников МИЭТ и ATOMKI будут представлены на «The 28th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS)» во Франции (с 4 по 9 августа) и «The 9th International Conference on Amorphous and Nanostructured Chalcogenides» в Молдове (с 30 июня по 4 июля), а также будут опубликованы в виде научно-технической статьи.